Лаборатория физики и технологии наноструктур

Руководитель структурного подразделения д.ф-м.н. Мордвинцев В.М.

Основные направления исследований

Исследование процессов самоформирования проводящих наноструктур в сильных электрических полях (электроформовки)

Рис. 1. РЭМ-изображение планарной МИМ (металл-изолятор-металл)-структуры после электроформовки (видна самосформировавшаяся изолирующая щель в плёнке золота) и схематическое изображение возникающей наноструктуры с шириной изолирующего зазора h=1 – 4 нм. 1 – диэлектрическая подложка, 2 – металлические электроды, 3 – возникающая проводящая среда, 4 – молекулы в газовой фазе.

Изучаются процессы самоформирования проводящих наноструктур в виде изолирующего зазора (рис. 1) нанометровой ширины в возникающей проводящей среде при воздействии высоких электрических полей (создаваемых напряжением U) и протекании тока J по поверхности изолирующей щели шириной H (процесс электроформовки). Проводящая среда формируется путём образования и накопления частиц проводящей фазы за счёт деструкции молекул диэлектрика (поверхностных слоёв изолятора) при электронном ударе. Состояние проводящей среды меняется при взаимодействии с молекулами газовой фазы и потоком электронов. Ширина h изолирующего зазора зависит от приложенного напряжения, но в любом случае она находится в диапазоне нескольких нанометров. Образующиеся проводящие наноструктуры обладают рядом нетривиальных электрических свойств: N-образными вольтамперными характеристиками (ВАХ), эффектами бистабильности (переключения) и памяти. Поэтому электроформованные структуры обладают свойствами мемристоров.

Экспериментальные исследования выполняются на объектах в виде открытых «сэндвич»-МДМ (металл-диэлектрик-металл)-структур (рис. 2), в которых ширина H изолирующей щели в виде свободного торца, диэлектрической плёнки, открытого в газовую фазу (вакуум), задаётся её толщиной d. Толщина плёнки диэлектрика находится в диапазоне 15 – 30 нм, что позволяет создавать высокие электрические поля, а открытость в газовую фазу обеспечивает проводимость структуры без разрушения металлических электродов. Изучается влияние на процесс электроформовки и свойства формирующихся наноструктур различных физических и технологических факторов: материалов электрода и диэлектрика, ширины изолирующей щели, амплитуды, длительности и формы импульсов напряжения U между электродами, состава и давления газовой фазы, различных обработок поверхности и др. (см. ниже в последнем разделе).

Рис. 2. Схематическое изображение открытой «сэндвич»-МИМ-структуры.
1, 2 – металлические электроды;
3 – диэлектрическая плёнка толщиной d;
4 – изолирующая щель шириной H;
5 – формирующаяся проводящая среда.

Рис. 3 иллюстрирует основные электрические свойства электроформованных структур: N-образные ВАХ, а также эффекты переключения и памяти. Исходно структура находилась в низкопроводящем состоянии (OFF) с относительно большой шириной h изолирующего зазора. После достижения порогового напряжения Uth происходит быстрое переключение структуры в высокопроводящее состояние (ON) с малым (около 1 нм) значением h. Отношение токов в состояниях OFF и ON может составлять 3 – 4 порядка. Обратное переключение осуществляется импульсом напряжения длительностью менее 10-2 с и амплитудой, превышающей напряжение максимума ВАХ. Неразрушающее считывание информации о состоянии структуры возможно при напряжениях меньше Uth.

Рис. 3. Типичные N-образные ВАХ и эффект переключения в открытых «сэндвич»-структурах Si-SiO2-W после электроформовки.

Такие свойства позволяют создать на основе электроформованных структур, обладающих характеристиками мемристоров, энергонезависимое электрически перепрограммируемое запоминающее устройство (память на самоформирующихся проводящих наноструктурах), информация в котором кодируется фактически шириной h нанометрового изолирующего зазора.

Разработка физико-технологических основ энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти на электроформованных структурах (мемристорах)

Элемент памяти выполняется в виде электроформованной открытой «сэндвич»-МДМ-структуры (рис. 2), электроды и диэлектрическая плёнка которой могут изготавливаться из различных материалов. В ходе работ над памятью были опробованы несколько вариантов конструкции ячеек. В таблице 1 приведены этапы её разработки и исследований.

Табл. 1. Этапы разработки и исследования памяти
Базовая конструкция элемента памяти Какие проблемы решены Какие проблемы поставлены
Al-Al2O3-W
1995 – 1997 гг.
1. Проверка идеи открытой «сэндвич» структуры для выполнения электроформовки.
2. Демонстрация эффектов переключения и памяти.
1. Низкая стабильность состояний элементов памяти.
2. Невозможность соединить элементы памяти в матрицу.
pSi-SiO2-W
1998 – 2002 гг.
1. Соединение элементов памяти в матрицу.
2. Состояния элементов памяти стали термически и радиационно стойкими.
Малая достижимая размерность матрицы памяти из-за высокого сопротивления шин р-Si и больших токов утечки
n+Si-SiO2-W
2003 – 2006 гг.
1. Сняты жёсткие ограничения на размерность матрицы памяти.
2. Возможность увеличения скорости записи на несколько порядков.
Плохое согласование технологии изготовления матрицы памяти с типовой кремниевой технологией
n+Si-TiN-SiO2-W
2007 – 2012 гг.
Конструкция согласована с типовой кремниевой технологией, поэтому возможно изготовление матрицы памяти на одном чипе со схемами управления Высокая вероятность электрического пробоя структуры при выполнении электроформовки для матриц больших размерностей
n+Si-TiN-TiO2-SiO2-W
2012 – 2016 гг.
Существенное уменьшение вероятностей электрических пробоев структур при изготовлении (электроформовке) и эксплуатации Жесткие требования к составу и давлению газовой среды над матрицей памяти

Рис. 4. Схематическое изображение фрагмента матрицы памяти в плане и сечения ячейки памяти для варианта конструкции на основе открытой «сэндвич»-структуры n+Si-SiO2-W. 1 – верхняя проводящая шина W (верхний электрод элемента памяти), 2 – слой тонкого SiO2, 3 – эмиттер транзистора (нижний электрод элемента памяти), 4 – нижняя проводящая шина р-Si (база транзистора), 5 – подложка n-Si (коллектор транзистора), 6 – изолирующая щель (открытый торец диоксида кремния), 7 – слой толстого диоксида кремния. Размеры даны в микрометрах.

На рис. 4 показана конструкция ячейки и матрицы памяти на основе элемента памяти со структурой n+Si-SiO2-W. Открытый торец 6 плёнки диоксида кремния – собственно элемент памяти – представляет собой квадрат в плане и встроен в эмиттер биполярного транзистора, который обеспечивает электрическую развязку ячеек в матрице. РЭМ-изображение образца такой матрицы размерностью 3×3 ячейки показано на рис. 5. Разработана лабораторная технология изготовления экспериментальных образцов матрицы памяти, которые продемонстрировали полный набор функций энергонезависимого электрически перепрограммируемого запоминающего устройства: запись, стирание, хранение, неразрушающее считывание информации, а также возможность выборки индивидуальной ячейки во всех режимах.

Рис. 5. РЭМ-изображение матрицы памяти размерностью 3×3 ячейки. Горизонтальные полосы – шины W.

Исследование характеристик памяти на электроформованных структурах (мемристорах)

Высокая радиационная стойкость энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти на проводящих наноструктурах связана с тем, что в отличие от традиционной полупроводниковой памяти, где носителем информации является зарядовое состояние диэлектрика, в ней информация кодируется размерами проводящей наноструктуры. Это свойство является одним из основных технических достоинств, делающих перспективным применение такой памяти в космической, атомной и военной отраслях.

Наиболее критичным параметром для энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти вообще является величина накопленной дозы облучения, при которой не происходит нарушение состояния ячейки. В связи с этим, методика испытаний состояла в измерении ВАХ ячеек, находящихся в различных состояниях (высоко- и низкопроводящем), в процессе облучения.

Выполнен большой объём исследований радиационной стойкости для различных вариантов конструкции ячейки памяти. На рис. 6 показаны типичные результаты для конструкции на базе открытой «сэндвич»-структуры TiN-SiO2-W. В этих образцах не было зафиксировано заметных изменений ВАХ каждого из 9 элементов памяти (ЭП) в матрице для двух режимов функционирования: хранения и считывания информации, - и для обоих состояний: высоко и низкопроводящего, - при дозах облучения более 1 Мрад.

Рис. 6. ВАХ ячеек матрицы памяти до облучения (а) и после облучения (б) дозой 1 Мрад последовательно в режиме хранения и считывания информации.

Табл. 2 – Режимы функционирования матрицы памяти со структурой TiN-SiO2-W
Режим Выбранный элемент памяти (m, n) Невыбранный
элемент памяти (i, j)
Считывание U(Wn): импульс амплитудой (–1÷1,5) В,
длительность (1÷100) мкс; U(Pm) = 0 В.
Ток в W шине (или подложке):
OFF – менее 0,1 мкА, ON – более 1 мкА
U(Wj) = 0 В;
U(Pi) = (–1÷1,5) В;
Uп = 0 В
«Включение» (OFF→ON) 1. U(Wn): импульс амплитудой – 5 В,
длительность 1 мс (Rb=10 – 15 кОм); U(Pm)=0 В;
2. Считывание состояния;
3. Если оно не ON, повторение пп. 1
U(Wj) = 0 В;
U(Pi) = –6 B;
Uп = 0 В
«Выключение» (ON→OFF) U(Wn): импульс амплитудой – 6 В,
длительность 200 нс; U(Pm) = 0 В
U(Wj) = 0 В;
U(Pi) = –6 B;
Uп = 0 В
U(W) – напряжение на вольфрамовой шине; U(P) – напряжение на кремниевой шине; Uп – напряжение на подложке.

В табл. 2 приведены основные характеристики управляющих импульсов для всех режимов функционирования матрицы памяти на основе открытой «сэндвич»-структуры TiN-SiO2-W.

Уникальное сочетание достоинств энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти на проводящих наноструктурах: потенциально высокая плотность записи информации, высокое быстродействие при записи и считывании, высокая термическая и радиационная стойкости, возможность изготовления методами традиционной кремниевой технологии и на одном чипе со схемами управления, - делают её практическое использование не только возможным, но и привлекательным.

Влияние на процесс электроформовки и свойства формирующихся наноструктур различных физических и технологических факторов

1. Исследования процессов электроформовки и переключений элемента памяти при различных полярностях напряжений и материалах электродов

Наличие n-p-n-транзистора в ячейке памяти обуславливало ранее возможность использования только одной полярности напряжения собственно на МДМ-структуре (минус на верхнем вольфрамовом электроде). С целью исследования влияния полярности на процессы электроформовки и переключений элемента памяти, а также ВАХ после электроформовки, транзистор был исключён из ячейки.

Рис. 7. Типичные ВАХ структур после электроформовки: а – А-тип (структура W-SiO2-W), б – В-тип.

Было обнаружено существенное различие в поведении структуры TiN-TiO2-SiO2-W при положительной (плюс на верхнем электроде) и отрицательной полярности напряжения. В первом случае электроформовка шла значительно более надёжно, а типичные (А-тип) квазистатические ВАХ после электроформовки выглядели, как показано на рис. 7а. Причём такие кривые могли прорисовываться многократно. Во втором случае наблюдалась повышенная вероятность пробоя при выполнении электроформовки, а типичные (В-тип) ВАХ показаны на рис. 7б. Как видно, уже при первом проходе при напряжениях около максимума тока происходил пробой, после чего переключения структур становились невозможными.

Такие различия, в принципе, могли быть связаны не только с полярностью напряжения, но и с разными материалами верхнего и нижнего электродов, а также с разной формой изолирующей щели для электронов, эмитируемых из нижнего или верхнего положений катода. С целью установления основного из этих возможных факторов была выполнена серия экспериментов для структур с различными материалами электродов. При этом технология их изготовления отличалась минимально. Полученные результаты сведены в табл. 3.

Структура
Mbot-D-Mtop
(№)
Тox,
ºС
d,
nm
Ubr,
V
Параметры электроформовки Тип ВАХ
полярность: полярность:
+ +
Ns/Ntot UF, V Ns/Ntot UF, V
TiN-TiO2-SiO2-W
(1)
350 26,0 23,6 12/13 10,5 – 17,5 2/9 10,5 – 16,5 A B
TiN-TiO2-SiO2-W
(2)
440 22,0 21,3 28/33 9,5 – 12,5 7/9 10,5 – 12,5 A B
W-SiO2-TiN
(3)
350 27,4 16,4 0/4 12,5 – 14,5 10/11 12,5 – 14,5 B A
W-SiO2- TiO2-TiN
(4)
350 27,3 18,1 2/12 10,5 – 14,5 15/16 10,5 – 14,5 B A
W-SiO2-W
(5)
350 27,0 12,3 3/9 6,5 – 9,5 3/13 6,5 – 8,5 A A
W-SiO2-W
(6)
350 27,7 10,9 7/10 7,5 – 9,5 9/14 6,5 – 8,5 A A
TiN-SiO2-TiN
(7)
350 22,9 22,6 5/12 10,5 – 16,5 7/12 14,5 – 18,5 B-80%
A-20%
B-80%
A-20%
TiN-SiO2-TiO2-TiN
(8)
350 24,3 21,4 8/17 8,5 – 16,5 8/8 8,5 – 10,5 B-80%
A-20%
B-80%
A-20%

Tox – температура осаждения SiO2 и экспозиции в кислородной плазме. Ubr – напряжение пробоя. UF – напряжение электроформовки. Nt – общее количество исследованных структур. Ns – количество структур с успешной электроформовкой.

Анализ полученных данных позволяет сделать однозначные заключения. Во-первых, ВАХ А-типа наблюдаются, когда анод структуры изготовлен из W при любом (верхнем или нижнем) положении этого электрода. Во-вторых, ВАХ В-типа наблюдаются, когда анод структуры изготовлен из TiN при любом (верхнем или нижнем) положении этого электрода. В частности, всё это означает, что форма изолирующей щели не влияет на тип ВАХ. Таким образом, основной фактор, ответственный за стабильную электроформовку и отсутствие электрического пробоя при снятии квазистатических ВАХ – это изготовление анода структуры из вольфрама. Если оба электрода структуры выполнены из вольфрама, ВАХ А-типа наблюдается для обеих полярностей напряжения (рис. 7а). В-третьих, наличие слоя TiO2 относительно большой толщины на поверхности Ti не влияет на тип ВАХ. Слой TiO2 с повышенной толщиной формировался либо увеличенной температурой Tox (сравнить строки 1 и 2 табл. 3), либо дополнительным осаждением (сравнить строки 7 и 8 табл. 3).

Физические причины таких эффектов пока не ясны, однако практический вывод из них очевиден: анод открытой МДМ-структуры для электроформовки и последующего использования её в качестве элемента памяти должен быть изготовлен из вольфрама и может быть как верхним, так и нижним.

2. Влияние состава и давления газовой среды на процессы переключения мемристоров на основе электроформованных открытых «сэндвич»-структур

Поскольку при электроформовке проводящая наноструктура, ответственная за последующие переключения элемента памяти, образуется на открытом торце «сэндвич»-МДМ-структуры, эти процессы могут быть чувствительны к составу и давлению газовой среды над изолирующей щелью. Влияние кислорода на электроформовку было исследовано ранее. Оно состоит в подавлении этого процесса при слишком высоких концентрациях кислорода в газовой фазе. Отдельный интерес представляет влияние кислорода на процессы переключения элемента памяти после его изготовления путём электроформовки.

Соответствующий комплекс исследований был выполнен для электроформованных открытых «сэндвич»-структур TiN-TiO2-SiO2-W при использовании верхнего вольфрамового электрода в качестве анода. Основные результаты сведены в диаграмму, показанную на рис. 8. Экспериментальные данные демонстрируют наличие порогового давления кислорода Pth, выше которого становится невозможным импульсное «включение» (переключение из низко- в высокопроводящее состояние) элементов памяти. Пороговое давление экспоненциально зависит от значения тока Ilim ограничения во время действия импульса «включения» в некотором диапазоне Ilim. Кроме того, на соответствующей кривой наблюдаются (это хорошо видно для кривой 1) две «полочки»: при малых и больших токах. Полученные результаты могут быть объяснены, исходя из самых общих физических представлений и предлагаемых механизмов процессов накопления и исчезновения частиц проводящей фазы в электроформованных структурах.

Было исследовано также влияние режима электроформовки (тока ограничения Ilimf в ходе электроформовки) на зависимость Pth(Ilim). Продемонстрировано наличие сдвига кривой (сравнить кривые 1 и 2 на рис. 8) для различных значений Ilimf, которое может быть объяснено соответствующим изменением размеров образующейся проводящей наноструктуры. На основе полученных экспериментальных данных (соотношения Ilim1 и Ilim2) проведена оценка изменения размеров и удельного поверхностного сопротивления материала проводящей среды при изменении Ilimf, которая соответствует увеличению «компактности» наноструктуры с его уменьшением. Существенно, что при Ilimf=60 мкА (кривая 2) элемент памяти функционирует, т. е. сохраняются его переключения, вплоть до давлений кислорода, близких к атмосферному. Полученные результаты, в частности, позволили предложить обоснованную методику выбора режимов выполнения электроформовки открытых «сэндвич»-структур.

Рис. 8. Зависимости порогового давления Pth кислорода, при котором элемент памяти перестаёт «включаться», от тока ограничения Ilim при переключениях для различных токов ограничения при электроформовке Ilimf: 1 – 190 мкА, 2 (с экспериментальными точками) – 60 мкА.

Соответствующие эксперименты с инертными газами (азотом и аргоном) продемонстрировали отсутствие их влияния на процессы переключения электроформованных структур при любых давлениях вплоть до атмосферного.

Таким образом, экспериментально показано, что существуют электрические режимы, в которых переключения между низко- и высокопроводящим состояниями элемента памяти нечувствительны к составу и давлению газовой среды.

Основные публикации
  1. Мордвинцев В.М., Левин В.Л. Возможный механизм формирования N-образной вольтамперной характеристики МИМ-диода // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 12. С. 88-100.
  2. Мордвинцев В.М., Левин В.Л. Модель возникновения N-образной стационарной вольтамперной характеристики нано-металл-изолятор-металл-диода с углеродистой активной средой // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 7. С. 83-95.
  3. Валиев К.А., Левин В.Л., Мордвинцев В.М. Электроформовка как процесс самоорганизации нанометрового зазора в углеродистой среде // ЖТФ. 1997. Т. 67. Вып. 11. С. 39-44.
  4. Мордвинцев В.М., Левин В.Л. Модель нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой с учётом перколяции в изолирующей щели // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 4. С. 265-274.
  5. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. Особенности процесса электроформовки в открытых «сэндвич»-структурах Si-SiO2-W с нанометровой изолирующей щелью // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. № 5. С. 353-363.
  6. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. Условия формирования единичной проводящей наноструктуры при электроформовке // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 4. С. 53-59.
  7. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si-SiO2-W для Si n- и р-типов проводимости // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 2. С. 222-229.
  8. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. Исследование проводимости и электроформовки открытых «сэндвич»-структур Si-SiO2-W на высоколегированном кремнии // Микроэлектроника, 2007, Т. 36, № 6, С. 423-436.
  9. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 174-182.
  10. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 183-191.
  11. Мордвинцев В.М, Кудрявцев С.Е., Левин В.Л., Цветкова Л.А. Влияние давления газовой среды и длительности управляющих импульсов на стабильность характеристик элементов памяти на основе электроформованных структур Si-SiO2-W // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 5. С. 337-347.
  12. Мордвинцев В.М., Согоян А.В., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Исследование радиационного поведения ячеек энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти на самоформирующихся проводящих наноструктурах. I. Режим хранения информации // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 2. С. 98-108.
  13. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. Исследование электрических характеристик элементов памяти на самоформирующихся проводящих наноструктурах в виде открытой «сэндвич»-структуры TiN-SiO2-W // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 2. С. 93-104.
  14. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Память на основе явления электроформовки // Кремниевые наноструктуры. Физика. Технология. Моделирование. Ярославль. Издательство ИНДИГО. 2014. С. 493-559. ISBN 978-5-91722-225-7.
  15. Мордвинцев В.М., Наумов В.В., Симакин С.Г. Исследование процесса образования окисной плёнки нанометровой толщины на поверхности нитрида титана методом вторично-ионной масс-спектрометрии // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 4. С. 258-272.
  16. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. Влияние особенностей конструкции изолирующей щели открытых «сэндвич»-структур TiN-SiO2-W и Si-SiO2-W на процесс их электроформовки // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. № 4. С. 266-274.
  17. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Влияние толщины слоя диоксида кремния на процесс электроформовки в открытых «сэндвич»-структурах TiN-SiO2-W // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 11. С. 1681-1688.
  18. Мордвинцев В.М., Наумов В.В, Симакин С.Г. Влияние давления кислорода на процесс окисления поверхности нитрида титана в плазме // Микроэлектроника 2019. Т. 48. № 6. С. 460–466.
  19. Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Влияние давления кислорода на переключения в мемристорах на основе электроформованных открытых «сэндвич»-структур // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 4. С. 287-296.
  20. Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е. Влияние режима электроформовки на устойчивость переключений мемристоров на основе открытых «сэндвич»-структур в среде кислорода // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 3. С. 175–183.
  21. E.S. Gorlachev, V.M. Mordvintsev, S.E. Kudryavtsev Study of inert gas pressure influence on electroforming and resistive switching of TiN-TiO2-SiO2-W memristors // Proc. SPIE 12157, International Conference on Micro and Nano-Electronics 2021, 121570C (30 January 2022).
  22. S.E. Kudryavtsev, V.M. Mordvintsev, V.V. Naumov, E. S. Gorlachev Effect of electrodes material on the I-V-curve and switching of memristors on the base of electroformed open metal-SiO2-metal sandwich structure // Proc. SPIE 12157, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, 121570D (30 January 2022).
  23. Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е. О механизме образования проводящей среды в мемристорах на основе электроформованных открытых «сэндвич»-МДМ-структур // Микроэлектроника. 2022. Т. 51. № 4. С. 304–312.

Лаборатории

Новости и события
Конкурс 01.03.2024
01.03.2024
Конкурс 27.11.2023
27.11.2023
Конкурс 01.11.2023
01.11.2023
Конкурс 11.10.2023
11.10.2023
Конкурс 02.10.2023
02.10.2023
Конкурс 17.05.2023
17.05.2023
Конкурс 03.03.2023
03.03.2023
Конкурс 21.12.2022
21.12.2022
Конкурс на замещение вакантных научных должностей
01.12.2022
Конкурс на замещение вакантных научных должностей
10.11.2022
Контактная информация
Корпус А
150007, г. Ярославль, ул. Университетская, д. 21
+7 (4852) 24-65-52 (приемная)
+7 (4852) 24-09-55 (бухгалтерия)
Корпус Б
150055, г. Ярославль, ул. Красноборская, д. 3
+7 (4852) 24-53-53